「新規ZMC法による太陽電池用半導体薄膜の開発」

　新規ZMC法（Zone Melting Crystallization法）により、従来よりも早い処理速度で2桁以上も欠陥密度の低い（ESR検出限界以下）太陽電池用シリコン薄膜を酸化シリコン膜上に作製することに成功している。このような二次元的空間における結晶成長メカニズムの検討を行っている。また、これらの手法を応用し、良質な結晶を作製することが難しいFe/Si系で唯一の半導体相であるβ-FeSi2薄膜の作製やナノ構造化による物理効果も利用した新規な光電変換材料の作製を目指している。